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PSMN013-100BS

发布时间:2020/6/30 16:43:00 访问次数:41发布企业:深圳市芯泽盛世科技有限公司

PSMN013-100BS是一款晶体管,它的参数如下:

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Part Status Active

FET 类型 N 沟道

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)

封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

零件状态 在售

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 13.9 毫欧 @ 15A,10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V

功率耗散(最大值) 170W(Tc)

安装类型 表面贴装

技术 MOSFET(金属氧化物)

Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 15A, 10V

包装 带卷(TR)

FET Type N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss) 100V

Vgs(最大值) ±20V

FET 功能 -

Vgs (Max) ±20V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 59nC @ 10V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 68A(Tc)

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3195pF @ 50V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3195pF @ 50V

漏源电压(Vdss) 100V

供应商器件封装 D2PAK

Mounting Type Surface Mount

Supplier Device Package D2PAK

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Packaging Tape & Reel (TR)

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)

Power Dissipation (Max) 170W (Tc)

Technology MOSFET (Metal Oxide)

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