BSS84LT1G ON Semiconductor (安森美) MOS管
技术参数
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-130 mA
无卤素状态
Halogen Free
漏源极电阻
10.0 Ω
极性
P-Channel
耗散功率
225mW（Ta）
输入电容
30.0 pF
漏源极电压(Vds)
50.0 V
漏源击穿电压
50.0 V
栅源击穿电压
-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)
130 mA
上升时间
1.00 ns
封装参数
安装方式
Surface Mount
引脚数
3
封装
SOT-23
外形尺寸
封装
SOT-23
其他
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
制造应用
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Power Management, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, 通信与网络, Communications & Networking, 计算机和计算机周边
符合标准
RoHS标准
Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
