1.说明：PMBF170
使用以下组件的塑料封装中的N沟道增强模式场效应晶体管
TrenchMOS™1技术。
产品可用性：
SOT23中的PMBF170。
2.特点：PMBF170
■TrenchMOS™技术
■快速切换
■逻辑电平兼容
■超小型表面贴装封装。
3.应用：PMBF170
■继电器驱动器
■高速线驱动器
■逻辑电平转换器。
制造商:PMBF170
Nexperia
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
300 mA
Rds On-漏源导通电阻:
5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
最小工作温度:
- 65 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
830 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1 mm
长度:
3 mm
产品:
MOSFET Small Signal
晶体管类型:
1 N-Channel MOSFET
宽度:
1.4 mm
商标:
Nexperia
正向跨导 - 最小值:
100 mS
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
零件号别名:
PMBF170 T/R
单位重量:
1.438 g
