描述:IS61WV51216EDBLL-10TLI
ISSI IS61WV51216EDALL和IS61 / 64WV51216EDBLL是高速8M位静态RAM按16位组织为512K字。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程加上创新电路设计技术，可产生高性能和低功耗设备。当CE为高（取消择）时，设备假定待机模式下功耗可以达到降低了CMOS输入电平。通过使用芯片使能和输出使能输入CE和OE，可以轻松扩展存储器。 activeLOW写使能（WE）控制着存储器的写和读。数据字节允许高字节（UB）和低字节（LB）访问。该器件采用JEDEC标准44引脚封装TSOP II型和48引脚迷你BGA（6mm x 8mm）。
特征：IS61WV51216EDBLL-10TLI
•高速访问时间：8、10、20 ns
•高性能，低功耗CMOS工艺
•多个中心电源和接地引脚可增强抗噪能力
•通过CE和OE选项轻松扩展内存
•CE掉电
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•TTL兼容输入和输出
•单电源
– Vdd = 1.65V至2.2V（IS61WV51216EDALL）
– Vdd = 2.4V至3.6V（IS61 / 64WV51216EDBLL）
•可用软件包：
– 48球miniBGA（6mm x 8mm）
– 44引脚TSOP（II型）
•工业和汽车温度支持
•无铅
•高低字节数据控制
制造商:IS61WV51216EDBLL-10TLI
ISSI
产品种类:
静态随机存取存储器
RoHS:
详细信息
存储容量:
8 Mbit
组织:
516 k x 16
访问时间:
10 ns
接口类型:
Parallel
电源电压-最大:
3.6 V
电源电压-最小:
2.4 V
电源电流—最大值:
50 mA
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 85 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TSOP-44
封装:
Tray
存储类型:
SDR
系列:
IS61WV51216EDBLL
类型:
Asynchronous
商标:
ISSI
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
SRAM
子类别:
Memory & Data Storage
单位重量:
470 mg
