InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMI C
功率放大器，可在5至6之间工作
GHz。 该放大器采用低成本表面封装
带有裸露底座的8引线封装
改善射频和热性能。 用
最少的外部组件，放大器
提供17 dB的增益和+29 dBm的饱和度
电源电压为+ 5V，功率为38％PAE。 副总裁
可用于完全掉电或RF输出功率/
当前控制。
特点：HMC406MS8GETR
增益：17 dB
饱和功率：+29 dBm
PAE 38％
电源电压：+ 5V
掉电能力
低外部零件数
典型应用：HMC406MS8GETR
HMC406MS8G（E）非常适合：
•WiMAX和WiLAN
•DSRC
•军事与海事
•私人移动广播
•UNII和ISM
制造商: Analog Devices Inc.
产品种类: 射频放大器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MSOP-8
类型: Power Amplifier
技术: GaAs InGaP
工作频率: 5 GHz to 6 GHz
P1dB - 压缩点: 27 dBm
增益: 17 dB
工作电源电压: 5 V
NF—噪声系数: 6 dB
OIP3 - 三阶截点: 38 dBm
工作电源电流: 300 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: HMC406
封装: Reel
商标: Analog Devices
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 11 dB
Pd-功率耗散: 2.1 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 500
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
