EG8403立体声D类音频功率放大器能够以D类放大器的效率提供AB类功率放大器的性能。采用低噪声，无滤波器结构可以省去传统D类放大器的输出低通滤波器。需要极少的外围元件，从而节省PCB的空间和系统成本，是便携式应用的理想选择。EG8403能够以高于85%的效率提供3W功率，同时具有系统关断及静音控制功能。特殊的线路架构增强了抗噪声能力，减少了射频干扰。
EG8403特点：
无滤波器的 D 类放大器，低静态电流和低 EMI
在 4Ω 负载和 5V 电源条件下，提供高达 3W 输出功率
效率高达 90% 低 THD，低噪声
短路电流保护
热保护
极少的外围元器件，节省空间和成本
封装形式： SOP16 无铅封装
EG8403应用；
LCD 电视、监视器
笔记本电脑
手机/免提电话
便携式 DVD 播放器，游戏机
繁华的城市离不开LED灯的装饰，相信大家都见过LED，它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方，也照亮着我们的生活。1.正向电压降低，暗光
A：一种是电极与发光材料为欧姆接触，但接触电阻大，主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。
B：一种是电极与材料为非欧姆接触，主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印，分布位置。
另外封装过程中也可能造成正向压降低，主要原因有银胶固化不充分，支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。 正向压降低的芯片在固定电压测试时，通过芯片的电流小，从而表现暗点，还有一种暗光现象是芯片本身发光效率低，正向压降正常。
2.难压焊：(主要有打不粘，电极脱落，打穿电极)
A：打不粘：主要因为电极表面氧化或有胶
B：有与发光材料接触不牢和加厚焊线层不牢，其中以加厚层脱落为主。
C：打穿电极：通常与芯片材料有关，材料脆且强度不高的材料易打穿电极，一般GAALAS材料(如高红，红外芯片)较GAP材料易打穿电极.
D：压焊调试应从焊接温度，超声波功率，超声时间，压力，金球大小，支架定位等进行调整。
3.发光颜色差异：
A：同一张芯片发光颜色有明显差异主要是因为外延片材料问题，ALGAINP四元素材料采用量子结构很薄，生长是很难保证各区域组分一致。(组分决定禁带宽度，禁带宽度决定波长)。
B：GAP黄绿芯片，发光波长不会有很大偏差，但是由于人眼对这个波段颜色敏感，很容易查出偏黄，偏绿。由于波长是外延片材料决定的，区域越小，出现颜色偏差概念越小，故在M/T作业中有邻近选取法。
C：GAP红色芯片有的发光颜色是偏橙黄 色，这是由于其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响，电流密度加大时，易产生杂质能级偏移和发光饱和，发光是开始变为橙黄色。
4.闸流体效应：
A：是发光二极管在正常电压下无法导通，当电压加高到一定程度，电流产生突变。
B：产生闸流体现象原因是发光材料外延片生长时出现了反向夹层，有此现象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有隐藏性，在使用过程是出于两极电压不够大，表现为不亮，可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线，也可以通过小电流IF=10UA下的正向压降来发现，小电流下的正向压降明显偏大，则可能是该问题所致。
5.反向漏电：
A：原因：外延材料，芯片制作，器件封装，测试一般5V下反向漏电流为10UA，也可以固定反向电流下测试反向电压。
B：不同类型的LED反向特性相差大：普绿，普黄芯片反向击穿可达到一百多伏，而普芯片则在十几二十伏之间。
C：外延造成的反向漏电主要由PN结内部结构缺陷所致，芯片制作过程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面，严禁用有机溶液调配银胶。以防止银胶通过毛细现象爬到结区。做到在LED显示屏产品上符合高可靠的要求，生产厂家还需要发更多时间，更多精力去往这方面发展，我相信，未来的LED显示屏行业技术将越来越精湛，发展将无可限量.
