CSD19532Q5B

型号：
CSD19532Q5B
厂家:TI
批号：2020+
封装：VSON8
数量：5000
库位：深圳5000
说明：(专营TI)原装正品现货/可开增值税发票

规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-CLIP-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 140 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 195 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1 mm
长度: 6 mm
系列: CSD19532Q5B
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5 mm
商标: Texas Instruments
正向跨导 - 最小值: 84 S
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 105.300 mg

规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 4.9 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 62nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4810pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），195W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-VSON-CLIP（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN

CSD19532Q5B Texas Instruments | 296-37478-2-ND | Digi-Key Electronics" />