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英飞凌模块FP75R12KE3

发布时间:2020/3/25 18:44:00 访问次数:83发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

FP75R12KE3

FP75R12KE3

FP75R12KE3FP75R12KE3

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:N
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.15 V
在25 C的连续集电极电流:105 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:350 W
封装 / 箱体:EconoPIM3
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:17 mm
长度:122 mm
技术:Si
宽度:62 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
零件号别名:FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3FP75R12KE3BOSA1
单位重量:300 g

FP75R12KE3

FP75R12KE3

FP75R12KE3FP75R12KE3

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:N
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.15 V
在25 C的连续集电极电流:105 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:350 W
封装 / 箱体:EconoPIM3
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:17 mm
长度:122 mm
技术:Si
宽度:62 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
零件号别名:FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3FP75R12KE3BOSA1
单位重量:300 g


FP75R12KE3

FP75R12KE3

FP75R12KE3FP75R12KE3

制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:N
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.15 V
在25 C的连续集电极电流:105 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
Pd-功率耗散:350 W
封装 / 箱体:EconoPIM3
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
封装:Tray
高度:17 mm
长度:122 mm
技术:Si
宽度:62 mm
商标:Infineon Technologies
安装风格:Chassis Mount
栅极/发射极最大电压:20 V
产品类型:IGBT Modules
工厂包装数量:10
子类别:IGBTs
零件号别名:FP75R12KE3BOSA1 FP75R12KE3FP75R12KE3BOSA1
单位重量:300 g

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