MT41K256M16TW-107 AAT:P

MT41K256M16TW-107 AAT:P 假一罚十，原装进口正品现货，长期供货，，，， 型号： MT41K256M16TW-107 AAT:P 厂家:MICRON 批号：最新 封装：FBGA96 数量：1845 库位：深圳1845 说明：特价！有单来谈！。。。。MT41K256M16TW-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. | 557-1741-2-ND | Digi-Key Electronics" />一般信息 数据列表 MT41K512M8, MT41K256M16;

标准包装 2,000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 集成电路（IC）
产品族 存储器
系列 汽车级，AEC-Q100
其它名称 557-1741-2
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR-ND



规格 存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb （256M x 16）
存储器接口 并联
时钟频率 933MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 20ns
电压 - 电源 1.283V ~ 1.45V
工作温度 -40°C ~ 105°C（TC）
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 96-TFBGA
供应商器件封装 96-FBGA（8x14）


文档 HTML 规格书 MT41K512M8, MT41K256M16



图像和媒体 产品相片 96-TFBGA

XC5VLX30T-3FFG665I
XC5VLX30T-3FFG665C
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XC5VLX50-2FFG676C
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XC5VLX50T-3FFG1136I
XC5VLX50T-1FFG665C

典型比如5nm之后，不断拉高的深度和宽度之比（为了避免短沟道效应，鳍片的宽度应该小于栅极长度的0.7倍），他进一步解释到，“这将使得鳍片难以在本身材料内部应力的作用下维持直立形态，尤其是在能量更高的EUV制程导入之后，这样的状况会更为严重，甚至光子在如此小的尺度下将呈现量子效应从而带来大量的曝光噪音，会严重影响5nm产品的质量和性能，而且栅极距过小也将带来更多不可控的情况。”这也意味着要想攻破5nm技术层的重重屏障，从核心工艺和基础层设计上去做出更多的创新和突破是当前最直接的做法，如此才能逐步发掘出真正能够提升良率和降低成本的最优化方案。但这也意味着从现在开始，到5nm芯片后续全面投产的整个过程中，需要持续且大量的资本和人力注入，这注定是一笔不菲的开支。

总之，对于任何一家志在竞逐全球芯片设计“霸主”的厂商来说，5nm节点是必须挺进的领域。纵然，当前行业在良率提升和成本优化等问题上尚未出现“最优解”，但随着接下来台积电和三星等国际芯片制造巨头在工艺层上的突破，加之如苹果、高通、联发科和华为等一众芯片厂商相关5nm产品的试制和量产，相信市场会很快做出正确的选择。但在这之前，5nm领域必然是一场考验时间、资本以及耐性的较量，毕竟前期投入不菲，而且需要从芯片设计商、制造商甚至终端集成商们各关键环节之间长期且密切的沟通与合作。正如MediaTek李宗霖所说：“往往越先进的制程，就需要越长的开发周期，因为这其中蕴藏着很多难以预测的挑战。”最终，只有真正能耐住性子精钻细磨的玩家，才能最终站上5nm时代的高台。

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