Texas InstrumentsUCC21750 电流隔离单通道栅极驱动器设计用于高达 2,121 VDC的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、一流的动态性能和鲁棒性的工作电压。UCC21750 具有高达 ±10 A 的峰值源电流和灌电流。输入侧与输出侧用 SiO2电容隔离技术隔离，支持高达 1.5 kVRMS工作电压、12.8 kVPK浪涌抗扰能力，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的部件间偏斜和大于 150 V/ns 的共模噪声抑制 (CMTI)。
UCC21750 具有先进的保护功能，例如快速的过流和短路检测、并联电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO，以优化 SiC 和 IGBT 的开关性能和鲁棒性。隔离的模拟至 PWM 传感器可用于更轻松地进行温度和电压感测，从而增加驱动器的通用性并简化系统设计工作、尺寸和成本。
特性 5.7 kVRMS，单通道 高达 2,121 VPK的 SiC MOSFET 和 IGBT 输出驱动电压 (VDD-VEE)：33 V（最大） 驱动强度 (±10 A) 和分离输出 CMTI：150 V/ns（最低） 响应时间 DESAT 保护：200 ns 内部有源米勒钳位：4 A 带 PWM 输出的隔离式模拟传感器，用于： 使用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感测 高压 DC-link 或相电压 发生故障时的软关断 (400 mA) 过流报警 FLT 并从 RST/EN 复位 在 RST/EN 上快速启用/禁用响应 在输入引脚上抑制 <40 ns 的噪声瞬变和脉冲 RDY 上的 UVLO (12 V VDD) 并带电源良好 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度高达 5 V 的输入/输出 传播延迟为 130 ns（最大），脉冲/部分偏斜为 30 ns（最大） 封装：SOIC-16 DW，爬电距离和电气间隙 > 8 mm 扩展工作结温范围：-40°C 至 +150°C 应用 工业电机驱动 服务器、电信和工业电源 不间断电源 (UPS) 太阳能逆变器
