描述：SPB17N80C3
特定导通电阻低（R DS（on）* A）输出电容为（E oss）@ 400V时，能量储存非常低低二氧化碳含量（Qg）经过实践认证的CoolMOS™质量自1998年以来，英飞凌就开始大规模开发CoolMOS™技术
特性：SPB17N80C3
高效率，高功率密度
超高成本/性能比
高可靠性
使用方便
应用：SPB17N80C3
消费品
计算机电源
适配器
照明
太阳能
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PG-TO-263-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:800 V
Id-连续漏极电流:17 A
Rds On-漏源导通电阻:290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
Qg-栅极电荷:88 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:227 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:4.4 mm
长度:10 mm
系列:CoolMOS C3
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:9.25 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:12 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:72 ns
典型接通延迟时间:25 ns
零件号别名:SPB17N80C3ATMA1 SP000013370 SPB17N8C3XT SPB17N80C3ATMA1
单位重量:4 g
