SISF20DN-T1-Ge3 共漏极双路 N 沟道 60v MOSFET

Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 旨在提高电池管理系统的功率密度和效率

SISF20DN-T1-GE3 共漏极双 N 沟道 60 V MOSFET 图片" class="right" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/V/Vishay%20-%20Siliconix/SISF20DN%20T1%20GE3%20Common-Drain%20Dual%20N-Channel%2060%20V%20MOSFET/vishay-siliconix-SISF20DN-T1-GE3-common-drain-dual-n-channel-60-v-mosfet-200.jpg?la=en&ts=9553382d-8461-42ed-b734-4eda122bbc9d" width="200" title="Vishay Siliconix's SISF20DN-T1-GE3 Common-Drain Dual N-Channel 60 V MOSFET" style="border-width:initial;border-style:none;float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />Vishay Siliconix的 SISF20DN-T1-GE3 是一个共漏极双路 n 沟道 60V MOSFET，采用紧凑的耐热增强型 PowerPAK® 1212-8SCD 封装。Vishay Siliconix SiSF20DN 旨在提高电池管理系统、插入式和无线充电器、DC/DC 转换器和电源的功率密度和效率，以 60 V 共漏极器件提供业界最低的 RS-S(ON)。

双路 MOSFET 在 10 V 时 RS-S(ON)典型值低至 10 mΩ，目前是 3 mm x 3 mm 基底面中最低的 60 V 器件。与该尺寸的同级解决方案相比，该值具有 42.5% 以上的优势，还比 Vishay 的上一代设备低 89%。结果是减少了电源路径上的压降，并最大程度地降低了功耗，从而提高了效率。由于具备更高的功率密度，SiSF20DN 的单位面积 RS1S2(ON)比竞品 MOSFET 低 46.6% 以上，包括更大型的 6 mm x 5 mm 解决方案。

为了节省 PCB 空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用了优化的封装结构，并在共漏极配置中集成了两个单片集成 TrenchFET® Gen IV n 沟道 MOSFET。与传统的双封装类型相比，SiSF20DN 的源触点与扩大的连接并排放置，从而增加了与 PCB 的接触面积并降低了电阻率。这种设计使 MOSFET 非常适合 24 V 系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安全/监视和烟雾报警器。SiSF20DN 100% 经 Rg和 UIS 测试，符合 RoHS 且无卤素。

特性 TrenchFET 第四代功率 MOSFET 源到源接通电阻极低 集成的共漏极 n 沟道 MOSFET 采用紧凑的耐热增强型封装 100% 通过 Rg和 UIS 测试 优化电路布局以实现双向电流 应用 电池保护开关 双向开关 负载开关 24 V 系统