赛普拉斯半导体S25FL128S NOR闪存器件
赛普拉斯S25FL128S FL-S NOR是采用65nm MirrorBit技术的2.7V-3.6V / 1.65V-3.6V VIO伏闪存非易失性存储器件。 128-Mb S25FL128S FL-S NOR使用带有页面编程缓冲区的Eclipse体系结构进行设计，允许用户在一次操作中编程多达128个字（256字节），与上一代SPI编程或擦除相比，可实现更快的有效编程和擦除。算法。该设备通过串行外围设备接口（SPI）连接到主机系统，并支持传统的SPI一位串行输入和输出（单I / O或SIO），可选的两位（双I / O或DIO）和四位（ Quad I / O或QIO）串行命令。
作为FL-S系列的一部分，S25FL128S FL-S NOR提供对SIO，DIO和QIO的双倍数据速率（DDR）读取命令的支持，这些命令可在时钟的两个边沿上传输地址和读取数据。通过QIO或DDR-QIO命令以支持的更高时钟速率使用FL-S器件，指令读取传输速率可以匹配或超过传统的并行接口，异步，NOR闪存，同时大大减少了信号数量。 S25FL128S FL-S NOR具有高密度性能，并具有各种嵌入式应用所需的灵活性和速度。赛普拉斯S25FL128S FL-S NOR是代码阴影，XIP和数据存储的理想选择。
特征：S25FL128SAGMFIR01
具有多功能I / O的CMOS 3.0 V内核
具有多I / O的串行外围设备接口（SPI）
SPI时钟极性和相位模式0和3
双倍数据速率（DDR）选项
扩展寻址：24位或32位地址选项
串行命令集和封装与S25FL-A，S25FL-K和S25FL-P SPI系列兼容
多I / O命令集和封装与S25FL-P SPI系列兼容
读取命令
普通，快速，双路，四路，快速DDR，双路DDR，四路DDR
自动引导-上电或重置并在预先选择的地址处自动执行“普通”或“四方读取”命令
通用闪存接口（CFI）数据以获取配置信息
编程（1.5 MB / s）
256或512字节页面编程缓冲区选项
用于慢时钟系统的四输入页面编程（QPP）
自动ECC-内部硬件纠错码生成，带单个纠错码
清除（0.5至0.65 MB / s）
混合扇区大小选项-地址空间顶部或底部的32个4 KB扇区的物理集，其余所有扇区均为64 KB，以便与上一代S25FL器件兼容
统一扇区选项-始终擦除256 KB的块，以实现与更高密度和未来设备的软件兼容性
制造商:Cypress Semiconductor
产品种类:NOR闪存
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOIC-16
系列:S25FL128S
存储容量:128 Mbit
最大时钟频率:133 MHz
接口类型:SPI
组织:16 M x 8
定时类型:Synchronous
数据总线宽度:8 bit
电源电压-最小:2.7 V
电源电压-最大:3.6 V
电源电流—最大值:100 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tube
存储类型:NOR
速度:133 MHz
结构:Eclipse
商标:Cypress Semiconductor
湿度敏感性:Yes
产品类型:NOR Flash
工厂包装数量:47
子类别:Memory & Data Storage
商标名:MirrorBit
单位重量:200.700 mg
