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IRFP4868PBF

发布时间:2019/12/14 22:12:00 访问次数:121 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:IRFP4868PBF

300V正极N通道HEXFET功率MOSFET,采用TO-247AC封装


优势:IRFP4868PBF
针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
根据JEDEC标准的产品认证
针对10 V栅极驱动电压进行了优化(称为正常水平)
行业标准的通孔电源封装
高电流承载能力封装(高达195 A,取决于芯片尺寸)
针对高功率密度



IRFP4868PBF

制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:300 V
Id-连续漏极电流:70 A
Rds On-漏源导通电阻:32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
Qg-栅极电荷:270 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
Pd-功率耗散:517 W
通道模式:Enhancement
封装:Tube
高度:20.7 mm
长度:15.87 mm
宽度:5.31 mm
商标:Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值:80 S
下降时间:45 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:16 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:62 ns
典型接通延迟时间:24 ns
零件号别名:SP001556792
单位重量:38 g


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