MDmesh/DM6-650V MOSFET系列 STWA70N65DM6

STMicroelectronics的高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6快速恢复二极管系列的一部分

意法半导体（STMicroelectronics）的MDmesh DM6 650 V MOSFET系列结合了优化的电容曲线和寿命消除过程，从而实现了低栅极电荷（Qg），极低恢复电荷（Qrr），低恢复时间（trr）和出色的改进以RDS（on）为单位。MDmesh DM6 MOSFET系列是当今全桥和半桥拓扑的参考。

特征 快速恢复体二极管 与上一代产品相比，每单位面积的RDS（on）更低 低栅极电荷，输入电容和电阻 经过100％雪崩测试 极高的dv / dt耐用性 齐纳保护

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