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NTD4809NHT4G

发布时间:2019/12/10 12:10:00 访问次数:359 发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

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规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 9.6A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,11.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 15nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2155pF @ 12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63



TONY.ZOU(邹泽凯)
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深圳市博浩宇科技有限公司
地址:深圳市福田区振华路海外装饰大厦A座1509
Tel:(0)13510413731,Fax:86-755-82780609
电子邮箱:sales01@szbohaoyu.com
Mobile:;QQ:361227457
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