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BSM100GD120DN2英飞凌INFINEON英飞凌IGBT模块

发布时间:2019/12/2 21:47:00 访问次数:176发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

BSM100GD120DN2英飞凌INFINEON英飞凌IGBT模块

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BSM100GD120DN2

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INFINEON

INFINEON

INFINEON

INFINEON

INFINEON

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs


BSM100GD120DN2

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INFINEON

INFINEON

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INFINEON

INFINEON

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs


BSM100GD120DN2

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INFINEON

INFINEON

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INFINEON

INFINEON

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 680 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs


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