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FDN359BN

发布时间:2019/12/2 11:56:00 访问次数:44

FDN359BN MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.026OHM, 2.7A,

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 46 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.12 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: FDN359BN
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 1.4 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
CNHTS: 8541210000
下降时间: 5 ns
HTS Code: 8541210095
MXHTS: 85412101
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
TARIC: 8541210000
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 30 mg


据台媒《财讯》报道,前尔必达社长坂本幸雄出任紫光集团高级副总裁兼日本分公司CEO,当中牵线搭桥者,正是长江存储董事长高启全。


近日,坂本幸雄在接受日本《钻石周刊》的专访中表示,与高启全原本就是旧识,三年前,高启全曾邀请他一起到紫光集团来做NAND,但坂本幸雄心中仍对DRAM存有执念,因此婉拒了高启全。


今年以来,高启全又两度邀请坂本幸雄一起来做DRAM,原本他以为自己70多岁高龄会导致体力跟不上,但由于两年前开始学习剑道的步调,觉得自己应该还能继续工作两三年。所以,高启全9月再去日本时,只花了30分钟就请动了坂本幸雄,因为DRAM对他的吸引力实在是太大了。


日前,坂本幸雄在接受采访时表示,紫光的目标是5年内量产DRAM内存,自己的工作就是协助公司达成目标,为此紫光要在日本神奈川县川崎设立“开发中心”,预计会招聘70-100位工程师,与中国境内的制程工艺团队配合,花2-3年构建出可以量产的内存技术。


关于招聘人才,坂本幸雄表示,应该会来自像瑞萨电子那样的日本半导体厂商、或在台湾企业服务但对现状不满的人。他强调,很多工程师很优秀又有工作意愿,但受限于公司的分工策略,只能做被细分后的工作,缺乏自由度。


坂本幸雄进一步指出,要做出好的DRAM,设计者必须从产品整体考量,因此企业必须让他们自由发挥,而紫光不仅待遇好,应该还能提供一个让他们觉得有趣的工作环境。


紫光集团的DRAM事业群成立于今年6月,由曾任工信部电子信息司司长的刁石京出任董事长,CEO则由高启全担任。8月27日,紫光集团宣布与重庆市政府签署合作协议,并在重庆投资DRAM研发中心与工厂,厂房预定2019年底动工,并于2021年完工。


另外,有消息人士透露,紫光集团内部已计划将在未来十年内投资8000亿元人民币,以加快DRAM量产。


有了坂本幸雄的重磅加入,紫光集团的DRAM布局有望进一步增速。据了解,坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验,在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。坂本幸雄先生曾任日本德州仪器副社长、神户制钢电子信息科半导体部门总监理、联日半导体社长兼代表董事,及尔必达存储社长、代表董事兼CEO。


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三星再次陷入关闭工厂的传闻。有消息称,最快9月,三星将关闭在中国的最后一家手机工厂,目前该公司已在做最后的清算工作,工厂从今年5月就开始跟工人沟通关闭消息,预计今年9月,整个工厂将会完全关闭。北京商报记者就此联系到三星中国方面,但截至发稿,对方未做出回复。


关于三星关闭中国工厂的传闻,今年以来有过多次报道,但都没有获得三星方面的确认。6月初,就有报道称,三星电子正在削减其仅存一家在华智能手机工厂——广东省惠州市的工厂的产量并裁员。如果传闻属实,那么这家工厂已不是三星在中国关闭的第一家工厂。早在2018年12月31日,建立18年的天津三星手机制造工厂(三星天津通信)就被停产关闭。2010年,三星产销手机2亿多部,其中六成以上在中国生产,而天津工厂产量最多。


据悉,三星近年来正逐步将手机制造转向印度及越南,其中越南承接的智能手机制造业务是最多的,截至去年4月,三星在越南的投资总额高达173亿美元,在当地建设了8个制造工厂,主要生产智能手机、电子零件等。
不过,在关闭工厂的同时,三星似乎还在新建工厂。有消息称,三星正在加快建设车用MLCC工厂(多层陶瓷电容器)、动力电池生产线等新项目,新增高端制造方面的投资达24亿美元(约合人民币162.6亿元)。目前,天津区域内聚集了10家三星系企业,累计投资超过58亿美元(约合人民币393亿元),占三星在华总投资近1/5。


香港鑫锐电子有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。


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富士通和联华电子2家公司于2014年达成协议,由联华电子通过分阶段逐步从富士通取得MFS 15.9%的股权,而富士通现已获准将剩余84.1% MFS的股份转让给联华电子。最终的交易总金额为544亿日元,MFS成为联华电子完全独资的子公司后,将更名为United Semiconductor Japan Co.,Ltd.(USJC)。


据了解,三重富士通半导体前身为富士通股份有限公司三重工厂,自1984年开始运营以来,作为最先端存储器等产品的研发、量产据点,助力富士通半导体快速发展。


目前,三重富士通的月产能为3.6万片12英寸晶圆,主要应用在车用、物联网(IoT)等领域,B1厂采用90nm工艺,B2厂初始采用65nm工艺,2016年下半年40nm正式进入量产阶段,40、65纳米制程等成熟制程现已成为生产主力。


富士通和联华电子除了MIFS股权转让之外,双方还通过了联华电子40nm技术的授权,以及于MIFS新建40nm逻辑生产线,进一步扩大了彼此的合作伙伴关系。经过多年的合作营运,双方一致肯定将MFS整合至联华电子旗下,可将其潜质发挥到最大,以提高其在日本半导体产业的竞争力,同时有助于巩固联电业务根基,为联电创造最高的价值。


联华电子共同总经理王石表示:“这桩并购案结合了USJC世界级的生产质量标准和联华电子员工数十年的丰富制造经验、联电的经济规模以及晶圆专工的专业技术,将达到双赢的综效,可为新的及现有的日本客户提供更强有力的支持,同时联华电子的全球客户也将可充分运用日本的12英寸晶圆厂。”


王石进一步指出,“USJC的加入,正符合联电布局亚太12英寸厂生产基地产能多元化的策略。展望未来,我们将持续专注于联电在特殊制程技术上的优势通过内部和外部对扩张机会的评估,寻求与此策略相符的成长机会。”


事实上,联电董事会去年6月就决定,将购买富士通持有MIFS全部股权,使MIFS成为联电全资子公司。


今年7月,王石也曾表示,将持续提升公司晶圆制造竞争力,今年资本支出预估10亿美元,主要用在晶圆制造整合中。


根据集微网此前报道,联电第2季度合并营业收入360.3亿元新台币,季增10.6%,年减7.3%。累计上半年合并营收686.14亿元新台币,年减10.13%。


关于今年下半年,王石保守表示,中美贸易战使市场不确定性高,但预期无线通信市场供应链进行短期调整,将微幅推升晶圆需求;不过全球经济环境疲软,客户持续去化库存,可能导致下半年需求能见度降低。

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