一般说明：HMC740ST89E
HMC740ST89E是InGaP异质结双极晶体管（HBT）增益模块MMIC SMT放大器覆盖0.05至3 GHz。 包装在行业标准SOT89，可以使用放大器作为级联的50欧姆RF或IF增益级以及具有高达+18 dBm输出的PA或LO驱动器功率。 HMC740ST89E提供15 dB的增益100 MHz时+40 dBm输出IP3，并且可以运行直接由+ 5V电源供电。 HMC740ST89E表现出出色的增益和输出功率稳定性温度，同时要求最少数量的外部偏置元件。
特性：HMC740ST89E
P1dB输出功率：+18 dBm
增益：15 dB
输出IP3：+40 dBm
可级联的50欧姆I / O
单电源：+ 5V
行业标准SOT89封装
坚固的1000V ESD，1C级
在整个温度范围内稳定电流
主动偏置网络
典型应用：HMC740ST89E
HMC740ST89E非常适合：
•蜂窝/ 3G和WiMAX / 4G
•固定无线和WLAN
•有线电视，有线调制解调器和星展银行
•微波无线电与测试设备
•中频和射频应用
制造商:Analog Devices Inc.
产品种类:射频放大器
RoHS: 详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:SOT-89-4
类型:Gain Block Amplifier
技术:GaAs InGaP
工作频率:3 GHz
P1dB - 压缩点:18 dBm
增益:15 dB
工作电源电压:5 V
OIP3 - 三阶截点:40 dBm
工作电源电流:88 mA
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
系列:HMC740
封装:Cut Tape
频率范围:0.05 GHz to 3 GHz
商标:Analog Devices
通道数量:1 Channel
输入返回损失:18 dB
Pd-功率耗散:0.66 W
产品类型:RF Amplifier
工厂包装数量:50
子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
单位重量:106 mg
