位置:51电子网 » 企业新闻

FF100R12MT4英飞凌Infineon

发布时间:2019/12/1 22:02:00 访问次数:42发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4英飞凌Infineon

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4


FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4


FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4


FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4


FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4


FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 135 A
封装 / 箱体: Econo D
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs

功能描述:IGBT 模块 IGBT-MODULE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

FF100R12MT4

FF100R12MT4

FF100R12MT4



相关新闻

相关型号