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FS100R12KS4InfineonIGBT模块

发布时间:2019/11/30 19:25:00 访问次数:38发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

FS100R12KS4 Infineon IGBT模块

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Infineon

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FS100R12KS4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 660 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
MXHTS: 85412999
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
TARIC: 8541290000
商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FS100R12KS4BOSA1

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
在25 C的连续集电极电流: 130 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 660 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
宽度: 62 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
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HTS Code: 8541290095
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
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产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FS100R12KS4BOSA1

功能描述:IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:


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FS100R12KS4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
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栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 660 W
封装 / 箱体: EconoPACK 3A
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封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 122 mm
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
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工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
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产品种类: IGBT 模块
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封装 / 箱体: EconoPACK 3A
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FS100R12KS4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
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制造商: Infineon
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配置: Hex
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最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
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工厂包装数量: 10
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零件号别名: FS100R12KS4BOSA1

功能描述:IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: N
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 3.2 V
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封装 / 箱体: EconoPACK 3A
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封装: Tray
高度: 17 mm
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
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工厂包装数量: 10
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零件号别名: FS100R12KS4BOSA1

制造商: Infineon
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集电极—射极饱和电压: 3.2 V
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封装 / 箱体: EconoPACK 3A
最小工作温度: - 40 C
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高度: 17 mm
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商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
CNHTS: 8541290000
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工厂包装数量: 10
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商标名: TRENCHSTOP
零件号别名: FS100R12KS4BOSA1

功能描述:IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:


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