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F4-75R06W1E3

发布时间:2019/11/22 22:04:00 访问次数:47发布企业:深圳市明烽威电子有限公司

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3

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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3


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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
封装 / 箱体: EASY1B
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 12 mm
长度: 62.8 mm
宽度: 33.8 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 24
子类别: IGBTs
零件号别名: F475R06W1E3


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