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AO4892

发布时间:2019/11/21 21:36:00 访问次数:270 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4892
双N沟道MOSFETAOAO4892(KO4892)


■特点:AO4892
●VDS(V)= 100V
●ID = 4A(VGS = 10V)
●RDS(ON)<68mΩ(VGS = 10V)
●RDS(ON)<94mΩ(VGS = 4.5V)



参数:AO4892
ECCN(美国)EAR99
零件状态有效
铅状鸥翼
包装高度1.5
包装宽度3.9
包装长度4.9
安装表面贴装
PCB已更换8
产品类别功率MOSFET
工艺技术TMOS
配置双漏双
通道模式增强
频道类型N
每个芯片的元素数2
最大漏极电源电压(V)100
栅极最大源电压(V)±20
最大门限电压(V)2.8
最大持续漏极电流(A)4
最大栅极源漏电流(nA)100
最大IDSS(uA)1
最大漏源电阻(mOhm)68 @ 10V
典型栅极电荷@ Vgs(nC)6.5@10V | 3@4.5V
10V(nC)6.5时的典型栅极电荷
典型输入电容@ Vds(pF)415 @ 50V
最大功耗(mW)2000
典型下降时间(ns)2
典型上升时间(ns)2
典型关断延迟时间(ns)15
典型的开启延迟时间(ns)4
最低工作温度(°C)-55
最高工作温度(°C)150
卷带包装
汽车未知
供应商包装SOIC
标准包装名称SOP
针数8
军人编号

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