一般说明：A3PN250-VQG100
ProASIC3，第三代Microsemi闪存FPGA系列，提供了性能，密度和性能。ProASICPLUS®系列产品以外的功能。非易失性闪存技术使ProASIC3 nano设备的优势在于它是即时开启的安全，低功耗，单芯片解决方案。 ProASIC3纳米器件可重新编程，并以ASIC级别的单位成本提供上市时间收益。这些功能使设计人员可以使用现有的ASIC或FPGA设计流程创建高密度系统。ProASIC3 nano器件还提供1 kbit的片上可重编程非易失性FlashROM存储作为基于集成锁相环（PLL）的时钟调节电路。 A3PN030及更小设备不支持PLL或RAM。 ProASIC3 nano器件具有多达250,000个系统门，支持多达36 kbit的真正双端口SRAM和多达71个用户I / O。ProASIC3纳米器件通过增加新功能和增加了ProASIC3产品线的宽度，包装，以在大量消费，便携式和电池供电的市场中提高客户价值。增加的功能包括更小的占位面积的封装，专为两层PCB设计，低功耗，热插拔功能和施密特触发器可在低成本和对功耗敏感的应用中提供更大的灵活性
功能和优点广泛的功能：A3PN250-VQG100
•10 k至250 k系统门
•高达36 kbit的真正双端口SRAM
•多达71个用户I / O可重编程闪存技术
•130纳米，7层金属（6铜），基于闪存的CMOS工艺
•0级即时支持
•单芯片解决方案
•断电时保留程序设计高性能
•350 MHz系统性能在系统编程（ISP）和安全性
•使用片上128位高级加密标准的ISP通过JTAG（符合IEEE 1532）进行（AES）解密
•设计用于保护FPGA内容的FlashLock®低功耗
•低功耗ProASIC®3纳米产品
•1.5 V内核电压，低功耗
•支持仅1.5 V的系统
•低阻抗闪存开关高性能路由层次结构
•分段的分层路由和时钟结构进阶I / O
•1.5 V，1.8 V，2.5 V和3.3 V混合电压操作
•Bank可选的I / O电压-每个芯片最多4个Bank
•单端I / O标准：LVTTL，LVCMOS 3.3 V /2.5 V / 1.8 V / 1.5 V
•符合JESD8-B的宽范围电源电压支持，允许I / O在2.7V至3.6V的电压范围内工作
•输入，输出和启用路径上的I / O寄存器
•可选的施密特触发器输入
•热插拔和冷备用I / O
•可编程输出摆率†和驱动强度
•弱上/下
•IEEE 1149.1（JTAG）边界扫描测试
•跨ProASIC3系列时钟调节电路（CCC）和PLL的引脚兼容封装
•多达六个CCC块，一个带有集成PLL
•可配置相移，乘法/除法，DelayCapability和外部反馈
•宽输入频率范围（1.5 MHz至350 MHz）嵌入式存储器
•1 kbit FlashROM用户非易失性存储器
•宽高比为4,608位RAM块的SRAM和FIFO（×1，×2，×4，×9和×18组织）†
•真正的双端口SRAM（×18除外）†增强的商业温度范围
•Tj = –20°C至+ 85°C
制造商:A3PN250-VQG100
Microchip
产品种类:
FPGA - 现场可编程门阵列
RoHS:
详细信息
产品:
A3PN250
逻辑元件数量:
3000
逻辑数组块数量——LAB:
-
输入/输出端数量:
68 I/O
工作电源电压:
1.5 V
最小工作温度:
- 20 C
最大工作温度:
+ 70 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
VQFP-100
封装:
Tray
高度:
1 mm
长度:
14 mm
系列:
A3PN250
宽度:
14 mm
商标:
Microchip / Microsemi
栅极数量:
250000
最大工作频率:
350 MHz
湿度敏感性:
Yes
工作电源电流:
3 mA
产品类型:
FPGA - Field Programmable Gate Array
工厂包装数量:
90
子类别:
Programmable Logic ICs
电源电压-最大:
1.575 V
电源电压-最小:
1.425 V
总内存:
36864 bit
商标名:
ProASIC3 nano
单位重量:
500 mg
