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IGW60T120FKSA1IGBT-沟槽型

发布时间:2019/11/21 9:07:00 访问次数:62发布企业:深圳市宏世佳电子科技有限公司

全新原装,公司现货

一般信息 数据列表 IGW60T120
标准包装 30
包装 管件
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
系列 TrenchStop®
其它名称 IGW60T120
IGW60T120-ND
SP000013906



规格 IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 100A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 150A
不同Vge,Ic 时的Vce(on) 2.4V @ 15V,60A
功率 - 最大值 375W
开关能量 9.5mJ
输入类型 标准
栅极电荷 280nC
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/480ns
测试条件 600V,60A,10 欧姆,15V
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3

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