FDS9435A

一般说明：FDS9435A
该P沟道MOSFET是ON的坚固门版本半导体的先进PowerTrench工艺。 它有针对电源管理应用进行了优化各种给定的驱动电压额定值（4.5V – 25V）。

应用领域：FDS9435A

· 能源管理
·负荷开关
·电池保护

特征：FDS9435A
·–5.3 A，–30 V RDS（ON）= 50 mW @ VGS = –10 VRDS（ON）= 80 mW @ VGS = –4.5 V
·低栅极电荷
·切换速度快
·高性能沟槽技术，可实现极低的RDS（ON）
·高功率和电流处理能力

制造商:FDS9435A
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SO-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
5.3 A
Rds On-漏源导通电阻:
50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
25 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
2.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
PowerTrench
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.75 mm
长度:
4.9 mm
系列:
FDS9435A
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
3.9 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
10 S
下降时间:
9 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
13 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
14 ns
典型接通延迟时间:
7 ns
零件号别名:
FDS9435A_NL
单位重量:
130 mg