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BSS84-7-F

发布时间:2019/11/18 19:40:00 访问次数:134 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:BSS84-7-F
该MOSFET旨在将导通电阻降至最低(RDS(ON))并保持出色的开关性能,使其成为高效电源管理应用的理想之选。


特点和优点:BSS84-7-F
低导通电阻
低门限电压
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
完全无铅且完全符合RoHS(注释1和2)
无卤素和锑。 “绿色”设备(注3)
符合AEC-Q101标准的高可靠性
具有PPAP能力(注释4)


应用领域:BSS84-7-F
通用接口开关
电源管理功能
模拟开关


机械数据:BSS84-7-F
案例:SOT23
外壳材料:UL易燃性分类等级94V-0
水分敏感性:J-STD-020的1级
端子:亚光锡表面处理(无铅电镀),可焊接MIL-STD-202,方法208
端子连接:请参见图
重量:0.009克(大约)


制造商:BSS84-7-F
Diodes Incorporated
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
50 V
Id-连续漏极电流:
130 mA
Rds On-漏源导通电阻:
10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
5 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
800 mV
Qg-栅极电荷:
0.28 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
300 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
BSS84
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度:
1.3 mm
商标:
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值:
0.05 S
产品类型:
MOSFET
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
18 ns
典型接通延迟时间:
10 ns
单位重量:
28 mg




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