S8050

描述：S8050

NPN硅
塑封晶体管

特性：S8050
SS8550的补充器件
集电极电流： IC= 1.5A
集电极损耗： PC = 2W (TC=25°C) 在B类推挽式操作中使用的便携无线电的2W输出放大器。

应用：S8050
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。

制造商:S8050
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Power-56-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
30 V
Id-连续漏极电流:
423 A
Rds On-漏源导通电阻:
650 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1 V
Qg-栅极电荷:
204 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
180 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
PowerTrench Power Clip
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.1 mm
长度:
6.25 mm
系列:
FDMS8050ET30
宽度:
5.1 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
333 S
下降时间:
16 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
22 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
87 ns
典型接通延迟时间:
29 ns
单位重量:
56.500 mg