一般说明：FDMC86139P
该P沟道MOSFET使用飞兆半导体生产半导体的先进PowerTrench®技术。 这个非常高密度的工艺特别适合最小化导通电阻并经过优化，可实现出色的开关性能性能。
应用领域：FDMC86139P
„有源钳位开关
负荷开关
特征：FDMC86139P
„最大rDS（on）= 67mΩ，VGS = -10 V，ID = -4.4 A在VGS = -6 V，ID = -3.6 A时，最大rDS（on）= 89mΩ
RDS-on中压P沟道硅技术非常低针对低Qg优化该产品针对快速切换应用进行了优化，例如以及负载开关应用„经过100％UIL测试符合RoHS标准
制造商:FDMC86139P
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
Power-33-8
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
100 V
Id-连续漏极电流:
4.4 A
Rds On-漏源导通电阻:
67 mOhms
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.3 W
配置:
Single
商标名:
PowerTrench
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
0.8 mm
长度:
3.3 mm
系列:
FDMC86139P
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
3.3 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
12 S
下降时间:
4 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
2.5 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
17 ns
典型接通延迟时间:
11 ns
单位重量:
165.330 mg
