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MCP602T-I/SN运算放大器IC

发布时间:2019/11/14 11:24:00 访问次数:132 发布企业:深圳市川蓝电子科技有限公司


MCP602T-I/SN 是一款运算放大器 - 运放 Dual 2.7V,详细产品属性如下:

制造商: Microchip
产品种类: 运算放大器 - 运放
RoHS:无铅环保
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
电源电压-最大: 5.5 V
每个通道的输出电流: 22 mA
通道数量: 2 Channel
GBP-增益带宽产品: 2.8 MHz
SR - 转换速率 : 2.3 V/us
CMRR - 共模抑制比: 75 dB
Ib - 输入偏流: 60 pA
Vos - 输入偏置电压 : 700 uV
电源电压-最小: 2.7 V
工作电源电流: 23 uA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
关闭: No Shutdown
系列: MCP602
封装: Reel
放大器类型: Operational Amplifiers
高度: 1.25 mm (Min)
长度: 4.9 mm
产品: Operational Amplifiers
电源类型: Single
技术: CMOS
宽度: 3.9 mm
商标: Microchip Technology
en - 输入电压噪声密度: 29 nV/sqrt Hz
In—输入噪声电流密度: 0.0006 pA/sqrt Hz
湿度敏感性: Yes
工作电源电压: 2.7 V to 5.5 V
产品类型: Op Amps - Operational Amplifiers
PSRR - 电源抑制比: 88 dB
工厂包装数量: 3300
子类别: Amplifier ICs
电压增益 dB: 115 dB
单位重量: 540 mg








产品特性:

•单电源:2.7V到5.5V
•轨到轨输出
•输入范围包括地面
•增益带宽产品:2.8 MHz (typ.)
•单位增益稳定
•低静态电流:230μA /放大器(typ)。
•芯片选择(CS):仅MCP603
•温度范围:
-工业:-40°C到+85°C
-扩展:-40°C到+125°C
•可在单一,双和四

MCP601/2/3/4系列低功率运算放大器(op放大器)有单路(MCP601)、单路(CS) (MCP603)、双路(MCP602)和四路(MCP604)三种

配置。这些运算放大器采用先进的 CMOS技术,提供低偏置电流,高速运行,高开环增益和轨对轨输出摆幅。本产品提供经营

与单个电源电压可以低至2.7 v,而画230 μA (typ)的静态电流放大器。此外,共模输入电压范围为0.3V以下,使这些放大器理想

的单电源运行。这些设备适用于低功率,电池操作电路,由于低静态电流, A/D 转换驱动放大器,因为他们的宽频带或抗混叠

滤波器,由于他们的低输入偏置电流。MCP602T-I/SN有标准的 8-lead PDIP、SOIC 和TSSO P包。MCP601和MCP601R也可在标

准的5导SOT-23封装中使用,而MCP603可在标准的6导SOT-23封装中使用。MCP604以标准的14-lead PDIP、SOIC和TSSOP包提

供。MCP601/2/3/4系列可用于工业和扩展温度范围,电源范围为2.7V至5.5V。



随着新一代器件的规模不断扩大,现场可编程门阵列(FPGA)设计的复杂性和资源利用率不断提高,这使得设计人

员的工作效率对于加快上市时间至关重要。Libero SoC v12.0减少了设计流程运行时间,随着结果质量的提高,它可

以减少设计迭代次数进而提高客户生产率。通过升级到Libero SoC v12.0,设计人员将看到时序方面的运行时间减少

了60%,布局和布线时间减少了25%,功耗减少了18%。他们还将看到大型设计的结果质量平均提高4%,PolarFire

MPF300 / TS-1器件的性能提高10%。


SMC 1000 8x25G串行存储器控制器

SMC 1000 8x25G串行存储器控制器是Microchip产品系列中第一款支持介质独立的OMI接口的存储器基础设施产品。

SMC 1000 8x25G使CPU和其他以计算为中心的SoC能够在相同封装尺寸内使用并行连接DDR4 DRAM的四倍存储器

通道,不仅能为计算密集型平台提供更高的存储器带宽和介质独立性,同时还具备超低时延的特性。


SMC 1000 8x25G通过符合8位开放式存储器接口(OMI)的25 Gbps通道与CPU连接,通过72位 DDR4 3200接口与

存储器连接,从而大幅减少每个DDR4存储器通道所需的主机CPU或SoC引脚数量,允许更多的存储器通道并增加可

用的存储器带宽。

Microchip的SMC 1000 8x25G采用创新的低时延设计,与传统的基于LRDIMM的集成式DDR控制器相比,其时延增量

不到4 ns,这表明基于OMI的DDIMM产品的带宽和时延性能与类似的LRDIMM产品几乎相同。
SMC 1000 8x25G支持下一代CPU和SoC所需的高存储器带宽,用于人工智能和机器学习。

MIC5504-3.3YM5-TR
MIC5365-3.3YC5-TR
TC1014-3.3VCT713
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