1.说明：4N35S-TA1
1.1功能
电流传输率（IF = 10mA，VCE = 10V，Ta = 25oC时CTR：最小100％）高输入输出隔离电压
4N35系列：Viso = 3,550Vrms
4N37系列：Viso = 1,500Vrms
响应时间（tr：典型值，在Vcc = 10V时为3μs，IC = 2mA，RL =100Ω）
双列包装：
4N35、4N37
宽引线间距封装：
4N35M，4N37M
表面安装套件：
4N35S，4N37S
卷带包装：
4N35S-TA，4N37S-TA，4N35S-TA1、4N37S-TA1
安全认证
* UL认证（编号E113898）
* CSA批准（编号：CA91533-1）
* FIMKO批准（编号193422-01）
* VDE批准（编号40015248）
* BSI批准（编号9018-9）
* CQC批准（编号CQC11001061921-2）
爬电距离> 8.0毫米;间隙> 8.0毫米
相关模型是VDE根据DIN EN 60747-5-5批准的模型
批准的型号：4N35-V / 4N37-V / 4N35M-V / 4N37M-V / 4N35S-V / 4N37S-V / 4N35STA-V / 4N37STA-V /
4N35STA1-V / 4N37STA1-V
VDE批准号：40015248（根据DIN EN 60747-5-5规范）
工作隔离电压VIORM：420V（峰值）
瞬态电压VTR：6000V（峰值）
污染：2（根据VDE 0110-1：1997-04）
间隙距离（输入和输出之间）：7.0mm（最小）
爬电距离（输入和输出之间）：7.0mm（最小）
输入和输出之间的隔离厚度：0.4mm（最小）
安全极限值电流（Isi）：400mA（二极管侧）
功率（Psi）：700mW（光电晶体管侧）
温度（Tsi）：175oC
为了保持光电耦合器的安全电气隔离，请设置保护装置。
当实际应用设备出现故障时，电路应保持在安全极限值之内。
VDE认可标志在套筒包装上印有“”。
符合RoHS
设备中使用的所有材料均遵循EU RoHS指令（No.2002 / 95 / EC）。
ESD通过HBM 8000V / MM2000V
MSL 1级
1.2应用：4N35S-TA1
电源稳压器
数字逻辑输入
微处理器输入
制造商:4N35S-TA1
Lite-On
产品种类:
晶体管输出光电耦合器
RoHS:
详细信息
封装 / 箱体:
PDIP-6 Gull Wing
输出类型:
NPN Phototransistor
通道数量:
1 Channel
If - 正向电流:
10 mA
最大集电极/发射极电压:
30 V
最大集电极电流:
100 mA
绝缘电压:
3550 Vrms
最大集电极/发射极饱和电压:
0.3 V
Vf - 正向电压:
1.5 V
Vr - 反向电压 :
6 V
Pd-功率耗散:
350 mW
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 100 C
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
配置:
1 Channel
高度:
3.5 mm
长度:
7.3 mm
宽度:
6.5 mm
商标:
Lite-On
安装风格:
SMD/SMT
电流传递比:
100 %
下降时间:
10 us
产品类型:
Transistor Output Optocouplers
上升时间:
10 us
工厂包装数量:
1000
子类别:
Optocouplers
单位重量:
670 mg
