描述：STP100N8F6
该器件是一个N沟道功率MOSFET使用STripFET™F6技术开发新的沟槽门结构。 所结果的功率MOSFET的RDS（on）极低
包。
特征：STP100N8F6
导通电阻很低
极低的栅极电荷
高雪崩强度
低栅极驱动功率损耗
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
80 V
Id-连续漏极电流:
100 A
Rds On-漏源导通电阻:
8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
2 V
Qg-栅极电荷:
100 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
176 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
STripFET
封装:
Tube
系列:
STP100N8F6
晶体管类型:
1 N-Channel
商标:
STMicroelectronics
下降时间:
21 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
46 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
103 ns
典型接通延迟时间:
33 ns
单位重量:
330 mg
