一般说明：NTR2101PT1G
该NPN双极晶体管专为通用VHF / UHF应用而设计，并封装在SOT-23表面贴装封装中。
该器件非常适合低功耗表面贴装应用。
特征：NTR2101PT1G
•领先的低RDS沟槽技术
•低压栅极驱动器额定值为−1.8 V
•SOT-23表面贴装，占地面积小（3 x 3毫米）
•这是无铅设备
应用领域
•高端负载开关
•DC-DC转换
•手机，笔记本电脑，PDA等。
制造商:NTR2101PT1G
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-23-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
8 V
Id-连续漏极电流:
3.7 A
Rds On-漏源导通电阻:
120 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
- 1 V
Qg-栅极电荷:
12 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
960 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
0.94 mm
长度:
2.9 mm
产品:
MOSFET Small Signal
系列:
NTR2101P
晶体管类型:
1 P-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
1.3 mm
商标:
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值:
9 S
下降时间:
31 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
15.75 ns
工厂包装数量:
3000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
38 ns
典型接通延迟时间:
7.4 ns
单位重量:
8 mg
