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MT49H16M36BM-25:B

发布时间:2019/11/7 13:32:00 访问次数:37发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 DRAM
存储容量 576Mb (16M x 36)
存储器接口 并联
时钟频率 400MHz
写周期时间 - 字,页 -
访问时间 20ns
电压 - 电源 1.7V ~ 1.9V
工作温度 0°C ~ 95°C(TC)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 144-TFBGA
供应商器件封装 144-μBGA(18.5x11)
MTFC8GEKDH-WT
JS28F128J3D75
JS28F128J3F75
EDD2508AETA-5B-E
EDE2516AEBG-6E-E
EDS1216AATA-75-E
EDE5108AGBG-6E-E
EDS6416AHTA-75
EDS6416AHTA-75-E
EDS5104ABTA-75
EDS6432AFTA-75
EDE1116ACBG-8E-E
EDS6416AATA-75-E
EDS1216GABH-10-E
EDJ1108DBSE-DJ-F
EDE2116ACBG-8E-F
EDS1216GABH-10-E
EDD2508AMTA-5B.
EDS6432AFTA-6B-E
EDS2516AFTA-75-E
EDD5116AGTA-5B-E
EDE5104AGSE-5C-E
EDD2508AMTA-5B-E
EDS1216GABH-10-E
MT29F4G16ABC
EDE1116AJBG-8E-F
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT
MT29F8G08MADWC-ETD
MT29C1G12MAAJVAMD-5IT
MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT
JS28F128J3F75
JS28F160J3D75
8862A1
KMF310012M-B305
EP2432-A1R
MT6583
MT29D26A22B81BABHS-75 IT
MT29D26A22B81BABHS
MT29D28A22B81BABHS-75 IT
MT29D28A22B81BABHS
MT46V32M81AZ4-75
MT29D26A22B81BABHS-6 IT
MT29D28A22B81BABHS-6 IT
MT46V32M81AZ5-75
NAND99R4M2AZBA5F
NAND99R4M4BZBA5EIF
NAND99R3M4BZBB5EIF
KEH00400NA-E451
BD6757KN
深圳市博浩宇科技有限公司
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