M25P80-VMW6TGNOR闪存 SERIAL NOR SLC 8MX1 SOIC
制造商: Micron Technology
产品种类: NOR闪存
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
系列: M25P80
存储容量: 8 Mbit
最大时钟频率: 75 MHz
接口类型: SPI
组织: 1 M x 8
定时类型: Synchronous
数据总线宽度: 8 bit
电源电压-最小: 2.7 V
电源电压-最大: 3.6 V
电源电流—最大值: 8 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
封装: Reel
存储类型: NOR
速度: 75 MHz
商标: Micron
产品类型: NOR Flash
标准: Common Flash Interface (CFI)
工厂包装数量: 1500
子类别: Memory & Data Storage
M25P80-VMW6TG是一个8Mb (1Mb x 8)的串行闪存设备，具有高级的写保护机制，可通过高速SPI兼容总线访问。
该设备支持高达75 MHz的时钟频率的高性能命令。使用PAGE程序命令可以一次编写1到256字节的内存。它被组织为
16个扇区，每个扇区包含256页。每个页面是256字节宽。可以将内存视为4096页或1,048,576字节。可以使用批量擦
除命令擦除整个内存，也可以使用扇区擦除命令一次擦除一个扇区。该数据表详细说明了基于110nm工艺的M25P80-
VMW6TG设备的功能。
产品特性功能
SPI总线兼容的串行接口
•8Mb的闪存
•75 MHz时钟频率(最高)
•2.7V至3.6V单电源电压
•页面程序(最多256字节)，0.64ms (TYP)
•删除功能
-扇区删除:512Kb (0.6 s) (TYP)
-大容量清除:8Mb(8秒)(TYP)
•读写保护
-硬件写保护:保护区域大小由非易失位BP0, BP1, BP2定义
•深省电:1μa (TYP)
•电子签名
- JEDEC标准2字节签名(2014h)
-唯一的ID代码(UID)和16字节的通用Flash接口(CFI)数据
- RES命令，一个字节的签名(13h)向后兼容
•每个扇区超过100,000个写周期
•超过20年的数据保存
•可提供汽车级配件
•包装(通过无铅认证)
半导体存储器分为随机存储器RAM和只读存储器ROM，通俗来讲ROM在系统停止供电的时候
仍然可以保持数据，而RAM在系统停止供电后则会丢失数据。
RAM：分为静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM，处理速度非常快，但价格昂贵，
一般只用在较为苛刻的环境下，比如CPU的一级缓冲和二级缓冲；而DRAM速度相对较慢，在
价格方面要比SRAM便宜很多，计算机的内存条是典型的DRAM。
ROM：从早期的不可擦除PROM、用紫外光擦除的EPROM，到电子擦除的EEPROM，发展到
现在的Flash。Flash分为NOR Flash和NAND Flash两种，NORFlash装载的代码可直接运行，
常用的U盘、SSD固态硬盘都是NAND Flash，SSD固态硬盘市场的发展给NAND Flash带来巨
大增量。
存储器市场有明显的“二八定律”特点，由少数企业分割着大部分的市场。其中在DRAM 市场，
主要的龙头企业有三星电子、SK海力士、美光科技；在NAND Flash市场，主要玩家有：三星、
东芝（即现在的KIOXI））、西部数据/闪迪、美光；在SRAM市场主要玩家是赛普拉斯、ISSI
（已经被北京君正收购）；在Nor Flash市场主要玩家为：旺宏、华邦电子、Cypress（赛普拉斯）。
值得关注的是，存储器性能与成本的平衡特性决定了主流市场和利基市场的划分，存储器的性能
与成本是矛盾的，性能越高的存储器一般来说单位价格会更贵。目前比较公认的划分是DRAM 和
NAND 是主流存储器，其性能和成本达到平衡，占据市场份额的90%以上，而 DDR3 DRAM、
NOR Flash、SRAM、SLC NAND 等是利基型存储器。目前在主流存储器市场仍以国外企业为主，
国内企业所占份额较少。所以，在分析整个存储市场时，DRAM和NAND的市场表现更能影响整个
存储市场大势的发展。
M25P80-VMW6TG
M25P16-VMW6TG
N25Q256A13E1240E
N25Q064A13ESE40F
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MT25QU256ABA1EW7-0SIT
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M25P64-VMF6TP
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MTEDCBE008SAJ-1N2IT
MTEDCBR016SAJ-1N2IT
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PC28F064M29EWHA
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MT28EW01GABA1HJS-0SIT
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M25P32-VME6TG
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M25P32-VME6G
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M25P32-VMW3TGB
M25P32-VMW6TGBA
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M15PE40-VMP6TG
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