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IRF7471TRPBF

发布时间:2019/11/7 11:04:00 访问次数:37发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 13 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 32nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2820pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
CA5160AE
CA5160M96
CA5160E
CA5160T
CA5160AT
CA5160S
CA5160AS
CA5160AT/3
MAX483EPA
MAX483EESA
MAX483CSA
MAX483ESA
MAX483CPA
MAX483EEPA
MAX483CUA
REF1004I-2.5
SI7233DN-T1-GE3
PCA9535PW
SN74LXH244ADBR
SN74LXH244ADBR
C3622CGA
C3622CGA
OP490GPZ
AD822ARZ
ADP3408ARU-2.5
ADP3180JRU
ADP3163JRU
ADP3303ARZ-3.3
CXK581000AYM-10LL
LMX2332ATMC
LMX2332LTME
LMX2332TM
LMX2332LTMG
LMX2332ATMX
LMX2332LTMX
LMX2332LTM
LMX2332TMD
LMX2332ATM
PCF8563TS
AD574ASD/883B
AD574AKN
AD574ATD/883B
AD574ALD
AD574AJN
AD574AUD
AD574ASD
AD574AJD
AD574ATD
深圳市博浩宇科技有限公司
地址:深圳市福田区振华路122号海外装饰大厦A座1509
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