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SI7106DN-T1-E3

发布时间:2019/11/6 11:29:00 访问次数:45发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 12.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 6.2 毫欧 @ 19.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 27nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 1212-8
封装/外壳 PowerPAK® 1212-8
LM393ADR
LM393MX
TLV2254AIPWR
LM3900DR
LM3914V
LM392DR
LM393ADR
LT1129CS8
UC3524ADW
PI6CX231BLEX
PI6CX231BLEX
ADM706PARZ
ADM706PANZ
ADM706SARZ
ADM706RARZ
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