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SI7866ADP-T1-E3

发布时间:2019/11/6 10:55:00 访问次数:36发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 2.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 125nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5415pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5.4W(Ta),83W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
FDS6679-NL
AD824ARZ
AD824ANZ
TDA9991HL
AD824AR
AD824AN
EN29LV400B-70TC
EN29LV800AB-70TCCP
TLC2201AIDR
TLC2201CP
STM703M6F
STM703M6E
S29GL128P90TFIR10
S29GL128M90TFIR10
S29GL128N90TFIR20
S29GL128P90TFIR20
S29GL128N11TFIV10
S29GL128P10FFI010
MAX9220EUM+TD
MAX9222EUM
MAX9220EUM
MAX9222EUM+D
MAX9222EUM+TD
MAX9220EUM+D
S29GL128N10TFIR1
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