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AO4449

发布时间:2019/11/5 11:30:00 访问次数:118发布企业:深圳市博浩宇科技有限公司

FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值) 34 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值) 16nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 910pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)


文档 其它有关文件 AOS Green Policy

PCN 组件/产地 Mult Devices Assembly 24/Apr/2018

RoHS指令信息 Alpha & Omega RoHS3

AP7365-15EG-13
AP7365-30EG-13
AP7365-33EVG-13
BUK9230-55A
SIR404DP-T1-GE3
SPX2930U-3.3
SPX29302T5
SPX29300T-2.5
SPX2930N-3.3
SPX29300U-3.3
SPX2930N-3.5
SPX29301T5-5.0
SPX29301U5-2.5
SPX29301U5-5
SPX29300T-3.3
SPX29300T-5.0
SPX29302AU5
SPX29302U
SIR800DP-T1-GE3
GE7805
GE7915A
AO4435
IKP10N60T
SI7634BDP-T1-GE3
IPA50R350CP
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