描述：NDT2955
NDT2955：P增益增强型场效应晶体管，-60V，-2.5A，300mΩ
此后60V P内置MOSFET是使用Fairchild Semiconductor的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。
特性：NDT2955
-2.5A，-60V
RDS（开）=300mΩ@ VGS = -10V
RDS（ON）=500mΩ@ VGS = -4.5V
高密度单元设计可实现极低的RDS（ON）
高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。
应用：NDT2955
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
DC / DC转换器
能源管理
制造商:NDT2955
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOT-223-4
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
60 V
Id-连续漏极电流:
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻:
95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
3 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
1.8 mm
长度:
6.5 mm
系列:
NDT2955
晶体管类型:
1 P-Channel
宽度:
3.5 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
5.5 S
下降时间:
6 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
10 ns
工厂包装数量:
4000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
19 ns
典型接通延迟时间:
12 ns
零件号别名:
NDT2955_NL
单位重量:
112 mg
