9月2日，长江存储科技宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存芯片。据悉，这是我国自主研发生产的首款64层3D NAND闪存芯片，也是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。
一句话总结：
长江存储代表了我国目前最高的3D NAND闪存芯片技术水平
。在芯片先进技术长期被韩美台等地方垄断的背景下，长江存储是如何在困境中突破重围的呢？
01 成立新芯
这一切还要从长江存储的前身武汉新芯说起。2006年4月，为了促进芯片产业的发展，颇有远见的湖北省和武汉市政府共同投资成立了武汉新芯，成立之初由中芯国际代管，计划做DRAM芯片。可中芯当时正处于和台积电的专利官司期间，基本无暇顾及新芯的发展。
02 一波多折
2008年，武汉新芯正式投产。可惜刚量产就碰到DRAM芯片价格大跌，于是武汉新芯不得不放弃DRAM芯片的生产，转换到闪存生产。
于是，武汉新芯2008年9月开始为美国飞索半导体生产NAND Flash闪存，那个时候武汉新芯的技术水平还在65nm阶段。然而祸不单行，飞索在经济危机的冲击下濒临破产，导致武汉新芯几乎没有订单，处境十分艰难。
在这样的背景下，当时有数家外资芯片大厂纷纷抛出收购的橄榄枝，所幸武汉市政府最终是和中芯在2011年达成协议，双方成立合资公司。
这也保住了武汉发展自主芯片的根基
。
03 涅槃重生
2012年8月，原中芯COO杨士宁加入武汉新芯，接着2013年，武汉新芯从中芯独立。
自2013年新加坡特许半导体原首席执行官杨士宁博士“坐镇”武汉新芯以来，武汉新芯也加大了人才投入的力度。
2014年年底，国家特聘专家洪沨博士被任命为武汉新芯COO，华美半导体协会前会长陈少民也被任命为武汉新芯CBO。而后期台湾DRAM教父高启全也晋升为长江存储的执行董事、代行董事长。
一位武汉新芯的在职人员表示，武汉新芯聘请了大量韩国、美国和新加坡技术人才，开会经常需要韩语、英语交流。
为了促进集成电路行业的发展，国家集成电路产业基金于2014年9月24日成立。随后发展存储器芯片正式被确定为国家战略。由于武汉新芯有较好的芯片发展基础，加上政府的各种配套措施，武汉成功地争取到国家存储器基地项目，将其落户到光谷未来城。
2016年3月武汉新芯宣布，将投资240亿美元在武汉打造一个世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NANDFLASH和DRAM。
2016年7月，由紫光国芯、集成电路基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业和省科投共同出资在武汉新芯公司的基础上成立了长江存储公司，并控股武汉新芯。
04 开花结果
2017年，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。
2017年5月，长江存储一期提前封顶。
2018年4月长江存储获得了第一笔3D NAND订单。
接着也就是文首提到的64层3D NAND闪存芯片的突破。而今年7月，三星已经量产第六代136层V-NAND 3D堆叠闪存，对比之下，三星领先的幅度可想而知。
不过，据业内人士透露，长江存储最快明年将跳过96层直接进入128层3D NAND闪存的生产，这将有望接近甚至追赶上国际先进水平。届时，也许才是国产闪存芯片能够真正跟国际大厂一决高下的时刻。
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