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S34ML01G100TFI000 NAND闪存

发布时间:2019/10/18 17:44:00 访问次数:164 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

S34ML01G100TFI000NAND闪存

密度1 GB/2 GB/4 GB建筑
输入/输出总线宽度:8位/16位
页面大小:
•x8=2112(2048+64)字节;64字节为空闲区
•x16=1056(1024+32)字;32字为备用区块大小:64页
•x8=128 KB+4 KB
•x16=64k+2k字
平面尺寸:
•1 GB/2 GB:1024块/平面x8=128 MB+4 MBx16=64m+2m字
•4 GB:2048块/平面x8=256 MB+8 MBx16=128m+4m字
设备尺寸:
•1 GB:每个设备1个平面或128 MB
•2 GB:每个设备2个平面或256 MB
•4 GB:每个设备2个平面或512 MB
NAND闪存接口
开放式NAND闪存接口(onfi)1.0兼容
地址、数据和命令多路复用
电源电压
3.3-V设备:VCC=2.7 V~3.6 V
安全
一次性可编程(OTP)区域
电源转换期间禁用硬件程序/擦除
附加功能
2 GB和4 GB部件支持多平面程序和擦除命令
支持备份程序
2 GB和4 GB部件支持多平面复制程序
支持读缓存
制造商编号:01H
工作温度
工业:-40°C至85°C
汽车:-40°C至105°C

性能
页面读取/程序
随机存取:25微秒(最大值)
顺序存取:25 ns(最小)
程序时间/多平面程序时间:200微秒(典型值)
块擦除(S34ML01G1)
块擦除时间:2.0 ms(典型值)
块擦除/多平面擦除(S34ML02G1、S34ML04G1)
块擦除时间:3.5 ms(典型值)
可靠性
100000个程序/擦除周期(典型)(每528字节(x8)或264个字(x16)有1位ECC)10年数据保留(典型)单平面结构(1-GB密度)
•块0有效,且至少对1000有效使用ECC的程序擦除周期对于两个平面结构(2-GB和4-GB密度)
•第0块和第1块有效,且至少在带ECC的1000个程序擦除周期包装选项无铅低卤48针TSOP 12×20×1.2毫米63球BGA 9×11×1 mm

W25Q128JVSIQTR
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W25Q128JVSIQ
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MT25QL256ABA1EW9-0SIT
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AT45DB321E-SHF-B
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