S29GL128P10TFI010NOR闪存 128Mb 3V 110ns Parallel NOR闪存
特色
单3V读取/编程/擦除（2.7-3.6 V）
增强型Versatilei/O™控制
–所有输入电平（地址、控制和dq输入电平）和
输出由vio输入端的电压决定。VIO范围是1.65
至VCC
90nm镜位加工技术
8字/16字节页面读取缓冲区
32字/64字节写缓冲区减少了
多个单词更新
安全硅行业区域
–128字/256字节扇区，用于永久安全标识
通过一个8字/16字节的随机电子序列号
–可在工厂或通过
顾客
统一的64 Kword/128 Kbyte扇区架构
–S29GL01GP:1224个部门
–S29GL512P：512个扇区
–S29GL256P:二百五十六个部门
–S29GL128P：128个扇区
典型的每个扇区100000个擦除周期
典型的20年数据保留
提供的套餐
–56针TSOP
–64球强化BGA
暂停和恢复程序和擦除命令
操作
写入操作状态位表示程序和擦除操作
完成
解锁旁路程序命令以减少编程时间
支持CFI（通用闪存接口）
高级扇区保护的持久和密码方法
wp/acc输入
–加速编程时间（当应用VHH时）以获得更大的
系统生产期间的吞吐量
–保护第一个或最后一个扇区而不考虑扇区保护
设置
硬件重置输入（重置）重置设备
就绪/忙碌输出（ry/by）检测程序或擦除周期
完成
S25FL256SAGMFI003
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ:A
MX25L3206EM2I-12G
S29AL016J70TFI020
MT25QU512ABB8E12-0SIT
S25FL128SAGMFIR01
MX25L51245GZ2I-10G
S25FL127SABMFI101
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT
W25Q256JVEIQ
MX25L51245GMI-08G
AT45DB641E-SHN2B-T
W25Q128JVEIQ
S25FL128SAGMFIR00
W25Q32JVSFIQ
SDINBDG4-8G-I1
IS25LP064A-JBLE-TR
EPCQ256SI16N
EPCQ16ASI8N
MT29F4G08ABADAH4-IT:D
W25Q256JVFIQ
MX25L1606EM2I-12G
W25Q128FWPIQ
MX25L12835FZNI-10G
SDINBDG4-16G-I1
