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IS42S32200L-7BLI动态随机存取存储器

发布时间:2019/10/18 16:09:00 访问次数:327 发布企业:深圳市宇创芯科技有限公司

IS42S32200L-7BLI动态随机存取存储器

特征
•时钟频率:200、166、143、133兆赫
•完全同步;所有信号参考正时钟边缘
•用于隐藏行访问/预充电的内部银行
•单个3.3V电源
•LVTTL接口
•可编程突发长度:(1,2,4,8,整页)
•可编程突发序列:顺序/交织
•自刷新模式
•每16ms(A2级)或64ms(商用,工业,A1级)
•每个时钟周期随机列地址
•可编程cas延迟(2、3时钟)
•突发读/写和突发读/单写作战能力
通过脉冲停止和预充电实现脉冲终止命令

选项
•包装:86针TSOP-II90球TF-BGA
•工作温度范围:商业(0oC至+70O(三)
工业(-40度C至+85O(三)汽车级,A1(-40OC至+85O(三)汽车级,A2:(-40O)C至+105O

一般说明
64mbsdram是一种高速cmos,动态设计用于3.3V工作的随机存取存储器包含67108864位的存储器系统。内部配置为具有同步
接口。每个16777216位的库组织为2048行乘以256列乘以32位。64MB SDRAM包括自动刷新模式,以及省电、断电模式。所有信号都是记录在时钟信号的正边缘,clk。所有输入和输出都是lvttl兼容的。64mbsdram具有同步突发的能力。具有自动列地址的高数据速率数据一代人,在内部银行之间穿插的能力隐藏预充电时间和随机充电能力更改期间每个时钟周期的列地址突发访问。
在脉冲结束时开始的一种自动定时行预充电序列可用自动预充电功能启用。访问其中一个其他三家银行将隐藏预充循环并提供
无缝、高速、随机存取操作。sdram读写访问是面向突发的启动在选定的位置继续程序序列中的位置数。这个活动命令的注册开始访问,后跟读或写命令。积极的与注册的地址位一起使用的命令是用于选择要访问的银行和行(ba0,ba1选择银行;a0-a10选择行)。阅读或结合地址位写入命令registered用于选择起始列位置用于突发访问。
可编程读写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页,带突发终止选项
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