描述：FQPF4N90C
FQPF4N90C：功率MOSFET，N长度，QFET®，900 V，4 A，4.2Ω，TO-220F
此N增强增强型功率MOSFET是使用Fairchild Semiconductor的平面条纹和DMOS专有技术生产的。此先进MOSFET技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关 模式电源，有源功率系数校正（PFC）和电子灯镇流器。
特性：FQPF4N90C
4A，900V，RDS（on）=4.2Ω（每秒）@VGS = 10 V，ID = 2A串口低（典型值：17nC）
低Crss（典型值5.6pF）
100％经过雪崩击穿测试“
经过100％雪崩测试
应用：FQPF4N90C
液晶电视
LED电视
台式计算机
AC-DC商用电源-台式计算机
制造商:FQPF4N90C
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
900 V
Id-连续漏极电流:
4 A
Rds On-漏源导通电阻:
4.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:
30 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
47 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
QFET
封装:
Tube
高度:
16.07 mm
长度:
10.36 mm
系列:
FQPF4N90C
晶体管类型:
1 N-Channel
类型:
MOSFET
宽度:
4.9 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
5 S
下降时间:
35 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
50 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
40 ns
典型接通延迟时间:
25 ns
零件号别名:
FQPF4N90C_NL
单位重量:
2.270 g
