描述：FDPF18N50
FDPF18N50：N内置UniFETTM MOSFET 500V，18A，265mΩ
该场效应管产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用 于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC），平板显示器（FPD）电视电源，ATX及照明设备用镇流器。
特性：FDPF18N50
RDS（on）=265mΩ（续）@ VGS = 10V，ID = 9A
低浓缩甲醛（典型值45nC）
低Crss（典型值25pF）
100％经过雪崩击穿测试
应用：FDPF18N50
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
液晶/ LED / PDP电视
灯光
不间断电源
制造商:FDPF18N50
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220FP-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
500 V
Id-连续漏极电流:
18 A
Rds On-漏源导通电阻:
265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
30 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
38.5 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封装:
Tube
高度:
16.07 mm
长度:
10.36 mm
系列:
FDPF18N50
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
4.9 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
25 S
下降时间:
90 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
165 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
95 ns
典型接通延迟时间:
55 ns
单位重量:
2.270 g
