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AO4419

发布时间:2019/10/16 19:16:00 访问次数:139 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4419
30V P沟道MOSFET
AO4419结合了先进的沟槽MOSFET
低电阻封装技术提供RDS(ON)极低。 该设备是负载开关的理想选择和电池保护应用


产品概要:AO4419
VDS -30V
ID(在VGS = -10V时)-9.7A
RDS(ON)(在VGS = -10V时)<20mΩ
RDS(ON)(在VGS = -4.5V时)<35mΩ
经过100%UIS测试
已测试100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4419
描述MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期26 周
详细描述表面贴装型-P-通道-30V-9.7A(Ta)-3.1W(Ta)-8-SOIC


一般信息:AO4419

数据列表AO4419 Datasheet;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列-
其它名称785-1024-2


规格:AO4419

FET 类型P 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)9.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)20 毫欧 @ 9.7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)32nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1900pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散(最大值)3.1W(Ta)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-SOIC
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

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