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AO4854

发布时间:2019/10/16 19:05:00 访问次数:124 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





描述:AO4854
30V双N沟道MOSFET
AO4854使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 两个MOSFET进行紧凑高效的开关和同步用于DC-DC转换器的整流器组合。


产品概要:AO4854
VDS 30V
ID(在VGS = 10V时)8A
RDS(ON)(在VGS = 10V时)<19mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4.5V时)<23mΩ
RDS(ON)(在VGS = 4V时)<26mΩ
ESD保护
经过100%UIS测试
已测试100%Rg


制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4854
描述MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
原厂标准交货期26 周
详细描述2-N-通道(双)-Mosfet-阵列-30V-8A-2W-表面贴装型-8-SOIC


一般信息:AO4854

数据列表AO4854;
标准包装 3,000
包装 散装
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列-

规格:AO4854

FET 类型2 N-通道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)8A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)19 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)888pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

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