AO4807

描述：AO4807
30V双P沟道MOSFET
AO4807使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和超低的低栅极电荷。 这个该设备适合用作负载开关或PWM应用程序。

产品概要：AO4807
VDS -30V
ID（在VGS = -10V时）-6A
RDS（ON）（在VGS = -10V时）<35mΩ
RDS（ON）（在VGS = -4.5V时）<58mΩ
经过100％UIS测试
已测试100％Rg

制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.
制造商零件编号AO4807
描述MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）
原厂标准交货期26 周
详细描述2-个-P-沟道（双）-Mosfet-阵列-30V-6A-2W-表面贴装型-8-SO

一般信息：AO4807

数据列表AO4807;
标准包装 3,000
包装 标准卷带
零件状态有源
类别分立半导体产品
产品族晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列-
其它名称785-1057-2


规格：AO4807

FET 类型2 个 P 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）35 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）760pF @ 15V
功率 - 最大值2W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO