描述：FCD380N60E
FCD380N60E：N内置SuperFET®II Easy-Drive MOSFET 600 V，10.2 A，380mΩ
SuperFET®II MOSFET是飞兆利用互补平衡技术实现出色的低导通电阻和串联晶体管性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。 因此，SuperFET II MOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正（PFC），服务器/电信电源，平板电视电源，ATX电源及工业电源应用。
特性：FCD380N60E
TJ = 150°C时为650 V
RDS（on）电阻= 380mΩ
超低甲醛含量（典型值Qg = 34 nC）
低有效输出电容（典型值Coss.eff = 97 pF）
100％经过雪崩击穿测试
应用：FCD380N60E
该产品是一般用途，适用于许多不同的应用程序。
制造商:FCD380N60E
ON Semiconductor
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
TO-252-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
650 V
Id-连续漏极电流:
10.2 A
Rds On-漏源导通电阻:
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3.5 V
Qg-栅极电荷:
34 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
106 W
配置:
Single
商标名:
SuperFET II
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
封装:
Reel
高度:
2.39 mm
长度:
6.73 mm
产品:
MOSFET
系列:
FCD380N60E
晶体管类型:
1 N-Channel
宽度:
6.22 mm
商标:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值:
10 S
下降时间:
10 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
9 ns
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
64 ns
典型接通延迟时间:
17 ns
单位重量:
260.370 mg
